近日，廣晟控股上市公司國星光電開發(fā)的1200V/80毫歐 SiC-MOSFET（碳化硅-場效應(yīng)管）器件成功獲得了AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證并通過高壓960V H3TRB （HV-H3TRB）可靠性考核，使其成為國內(nèi)少數(shù)SiC功率分立器件產(chǎn)品通過雙重考核的廠商之一。
SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料，具備絕緣擊穿場強(qiáng)是Si（硅）的10倍、帶隙寬度是Si（硅）的3倍、耐溫能力高等的特點(diǎn)，故被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料，能夠制造出600伏乃至更高耐壓功率器件，主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。
▎創(chuàng)新突破 無懼極限考驗(yàn)
本次國星光電獲得的AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證是車規(guī)元器件重要的認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)之一，其中通過的HV-H3TRB可靠性驗(yàn)證，意味著功率器件在極端運(yùn)行環(huán)境下仍有優(yōu)良耐受能力和使用期限。當(dāng)前，獲得AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證并通過HV-H3TRB可靠性考核逐漸成為各大主流汽車廠家對高可靠性功率器件的通用要求。聚焦SiC-MOSFET器件性能的優(yōu)化升級(jí)，國星光電充分發(fā)揮領(lǐng)先的封裝技術(shù)優(yōu)勢，采用自主研發(fā)的國星光電NSiC-KS封裝技術(shù)，明顯提升產(chǎn)品可靠性和電性能優(yōu)勢。
▎因需而至 應(yīng)用場景豐富
近年來，國星光電積極應(yīng)對市場變化，大力推進(jìn)功率分立器件封裝產(chǎn)品的優(yōu)化升級(jí)，分別完成了TO-247、TO-220、TO-252、TO-263及DFN貼片類優(yōu)勢封裝結(jié)構(gòu)的開發(fā)，目前已擁有適用于主流電壓規(guī)格650V與1200V平臺(tái)的SiC-MOSFET、SiC-SBD兩大產(chǎn)品系列，可廣泛應(yīng)用于光伏逆變、工業(yè)電源、新能源汽車、充電樁、軌道交通及智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的電力轉(zhuǎn)換裝置。
依托豐富的半導(dǎo)體封裝經(jīng)驗(yàn)、嚴(yán)格的質(zhì)量把控標(biāo)準(zhǔn)、先進(jìn)的功率器件生產(chǎn)線以及經(jīng)驗(yàn)豐富的專業(yè)技術(shù)人才隊(duì)伍，國星光電可根據(jù)客戶需求提供高性能、高可靠性、高品質(zhì)的封裝產(chǎn)品及技術(shù)解決方案，助力客戶提升產(chǎn)品性能和市場競爭力。
撰稿：國星光電王冠玉
編輯：劉韻
編審：杜文光