7月14日，廣晟控股所屬中金嶺南韶關(guān)冶煉廠（簡(jiǎn)稱：韶冶廠）稀貴金屬綠色回收與提取實(shí)驗(yàn)室半導(dǎo)體襯底材料中試團(tuán)隊(duì)利用自有技術(shù)，第一次投料就成功生產(chǎn)出第一根砷化鎵單晶，質(zhì)量?jī)?yōu)良，初步判定為零缺陷單晶體。
砷化鎵是一種半導(dǎo)體材料，具有更高的電子遷移率、更寬的禁帶寬度、更高的熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，是高頻電子器件制造中的重要應(yīng)用基底材料之一，在光電子器件、微波電子器件、高亮度的發(fā)光二極管、激光器以及高頻晶體振蕩器等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。
砷化鎵材料可以分為多晶和單晶兩種形態(tài)，從砷化鎵多晶到砷化鎵單晶的過(guò)程稱為晶體生長(zhǎng)，多晶材料通常含有一定量的雜質(zhì)和晶界缺陷，而砷化鎵單晶材料的晶體結(jié)構(gòu)則更加完善，具有更好的電子性能。
據(jù)悉，目前韶冶廠的重點(diǎn)項(xiàng)目——年產(chǎn)86萬(wàn)片高純半導(dǎo)體襯底材料項(xiàng)目的主產(chǎn)品之一，是由砷化鎵單晶經(jīng)過(guò)切磨拋洗等一系列工序后形成的砷化鎵單晶襯底材料。本次自主成功制備的砷化鎵單晶是在此前合成的砷化鎵多晶基礎(chǔ)上制備而來(lái)，標(biāo)志著韶冶廠在砷化鎵單晶裝備、晶體生長(zhǎng)工藝控制等方面上已趨于成熟，將為年產(chǎn)86萬(wàn)片高純半導(dǎo)體襯底材料項(xiàng)目建成投產(chǎn)奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
撰稿：吳選高
編輯：劉 韻
編審：杜文光