1月5日，廣晟集團(tuán)控股上市公司國星光電作為A級單位參編的《2022碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》《2022氮化鎵功率與射頻產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》在行家說第三代半導(dǎo)體SiC和GaN先進(jìn)技術(shù)發(fā)展及應(yīng)用研討會上發(fā)布。
兩本產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書重點圍繞SiC和GaN發(fā)展現(xiàn)狀、產(chǎn)能、產(chǎn)品特點、技術(shù)動向、發(fā)展趨勢等熱點話題進(jìn)行全面詳細(xì)梳理和深入剖析。憑借在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域積累的實戰(zhàn)經(jīng)驗和扎實的創(chuàng)新研發(fā)能力，國星光電在兩本白皮書中詳細(xì)展示了最新的產(chǎn)品布局及創(chuàng)新技術(shù)的應(yīng)用場景。
2019年，國星光電研究院正式啟動組建功率器件實驗室及功率器件產(chǎn)線工作，朝著高可靠性及高品質(zhì)的“三代半功率器件封測企業(yè)”的方向奮力前行。經(jīng)過產(chǎn)品技術(shù)迭代升級，國星光電SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）產(chǎn)品線不斷擴(kuò)展，以智能化、模塊化、定制化、高端化為方向，與多家知名廠商建立良好的合作關(guān)系，逐步打造品類豐富、品質(zhì)上乘的產(chǎn)品布局。
▲覆蓋多個應(yīng)用領(lǐng)域的產(chǎn)品類型
SiC分立器件產(chǎn)品
國星光電SiC功率分立器件已形成SiC-SBD、SiC-MOSFET兩條拳頭產(chǎn)品線，擁有TO-247封裝、TO-220封裝、TO-263封裝、TO-252封裝、DFN5*6等五種封裝結(jié)構(gòu)。其中，SiC-SBD重點推廣到黑白家電等領(lǐng)域；SiC-MOSFET可用于光伏逆變、儲能、充電樁、大型驅(qū)動、UPS不間斷電源等工業(yè)級領(lǐng)域，并向車規(guī)領(lǐng)域靠攏；以TO-247-4L為封裝形式的NSiC-KS系列產(chǎn)品，在開關(guān)損耗、開通損耗、開關(guān)頻率等方面優(yōu)勢明顯，可為新能源市場提供更優(yōu)的技術(shù)解決方案。
（部分配圖來源：unsplash）
SiC模塊產(chǎn)品
基于數(shù)字化驗證技術(shù)，國星光電推出了多款高可靠性SiC功率模塊，并規(guī)劃出NS34m、NS62m、NSEAS、NSECO等4個系列可量產(chǎn)的標(biāo)準(zhǔn)封裝類型產(chǎn)品，可應(yīng)用于太陽能發(fā)電、新能源汽車、新能源動車、電網(wǎng)傳輸、風(fēng)力發(fā)電等領(lǐng)域。其中，NS62m功率模塊新品依托SiC MOSFET芯片的優(yōu)異性能，在降低系統(tǒng)成本、提升系統(tǒng)效率等方面表現(xiàn)出色，系列產(chǎn)品可響應(yīng)不同封裝及規(guī)格的SiC功率模塊定制開發(fā)需求。
（部分配圖來源：unsplash）
GaN器件產(chǎn)品
瞄準(zhǔn)照明及大功率驅(qū)動市場，國星光電建成DFN5*6和DFN8*8兩大類GaN器件產(chǎn)品線，推出E-mode系列產(chǎn)品與Cascode系列產(chǎn)品，可根據(jù)客戶需求提供定制化技術(shù)解決方案。特別是結(jié)合LED原有的下游應(yīng)用市場，國星光電開發(fā)出多款使用SIP封裝(System In Pakage系統(tǒng)級封裝)的電源管理IC，豐富GaN-IC產(chǎn)品線，可在LED驅(qū)動電源、LED顯示器驅(qū)動電源、墻體插座快充、移動排插快充等領(lǐng)域得以應(yīng)用。
（部分配圖來源：unsplash）
撰稿：成年斌、翁雯靜
編輯：劉 韻
編審：杜文光