11月2日，廣晟集團控股上市公司國星光電乘勢推出以TO-247-4L為封裝形式的NSiC-KS系列產品，可應用于移動儲能、光伏逆變、新能源汽車充電樁等場景。
隨著工業(yè)4.0時代及新能源汽車的快速普及，工業(yè)電源、高壓充電器對功率器件開關損耗、功率密度等性能的要求也不斷提高。國星光電憑借領先的封裝技術優(yōu)勢，通過科學系統(tǒng)的設計，采用帶輔助源極管腳（亦可稱為開爾文源極腳，Kelvin-Source，簡稱：KS）的TO-247-4L，作為NSiC-KS系列產品的封裝形式，應用于具有耐壓高、導通電阻低、開通損耗小等優(yōu)異特點的新型高頻器件SiC MOSFET上，取得分立器件在開關損耗、驅動設計等方面的新突破。
▲如圖所示，NSiC-KS系列產品的封裝形式上增加了一個S極管腳，其可稱為輔助源極或者開爾文源極腳KS(Kelvin-Source)。
基于開爾文源極腳（KS）的存在，采用NSiC-KS封裝的SiC MOSFET，避免了驅動回路和功率回路的共用源極線路，實現了這兩個回路的解耦，使得NSiC-KS封裝的SiC MOSFET開關損耗、開通損耗均明顯降低，開關頻率更快，寄生電感與誤開啟風險更低。
▲經過實測對比，NSiC-KS封裝（TO-247-4L封裝）較之TO-247-3L封裝,開通損耗可明顯降低約55%。
▲經過實測對比，NSiC-KS封裝（TO-247-4L封裝）較之TO-247-3L封裝，開關損耗降低約35%。
▲NSiC-KS封裝（TO-247-4L封裝）有助于提高SiC MOSFET開關速度。
為滿足市場需求，國星光電NSiC-KS SiC MOSFET產品推出了多款型號，同時提供高性能、高可靠性、高品質的產品技術解決方案。
撰稿：成年斌、翁雯靜
編輯：劉 韻
編審：潘百安